Главная
Каталог
Дискретные полупроводники

Infineon IPB083N10N3GATMA1

При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Сводная информация

Доступность 0 шт.

Поставщики 1

Минимальная цена поставщиков По запросу

Курс на 25/06/2026 1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB

С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке

Цены и поставщики

Валюта

Доступность

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
Farnell	По запросу	1

Количество	Стоимость	Купить
-	-

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика	Количество	Стоимость	Купить
Farnell	По запросу	1	-	-	-

Технические характеристики

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0072oh; Available until stocks are exhausted Alternative available