Режим работы: пн-пт 9:00-18:00

Infineon IPB083N15N5LFATMA1

При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Данные о товаре

Партийный номер товара
mpn (Manufacturer Part Number)
IPB083N15N5LFATMA1
Transistor Mosfet N-ch 150V 105A 3-PIN TO-263 T/r
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Сводная информация

Доступность 13 227 шт.
Поставщики 3
Минимальная цена поставщиков 431,02 ₽
Курс на 25/06/2026 1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке

Важное

Технические характеристики
Ищете оптовые поставки? Персональные условия

Цены и поставщики

Валюта
Доступность
Поставщик
Доступность (шт)
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
Rochester Electronics 12252 1
Farnell По запросу 1
Mouser 65 1
1+
10+
50+
100+
500+
1000+
10000+
431,02 ₽ - - 409,73 ₽ 388,43 ₽ 367,14 ₽ 344,99 ₽
- - - - - - -
1 007,71 ₽ 737,68 ₽ 737,68 ₽ 597,13 ₽ - 469,35 ₽ 469,35 ₽
Количество Стоимость Купить
0,00 ₽
- -
0,00 ₽
Поставщик
Доступность (шт)
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
1+
10+
50+
100+
500+
1000+
10000+
Количество Стоимость Купить
Rochester Electronics 12252 1 5,06 ₽ 4,81 ₽ 4,56 ₽ 4,31 ₽ 4,05 ₽ 0,00 ₽
Farnell По запросу 1 - - -
Mouser 65 1 11,83 ₽ 8,66 ₽ 8,66 ₽ 7,01 ₽ 5,51 ₽ 5,51 ₽ 0,00 ₽

Технические характеристики

Описание

Transistor MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin TO-263 T/R
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 150V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, N-Ch, 150V, 105A, 179W, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:105A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(On):0.0069Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.1V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB083N15N5LFATMA1
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

Изображения

  • Сроки поставки

    Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon IPB083N15N5LFATMA1
    Rochester Electronics: -
    Farnell: -
    Mouser: -