-
Категории
- Антенны
- Датчики
- Дискретные полупроводники
- Защита от замыкания
- Инструменты и расходные материалы
- Интегральные схемы (ИС)
- Испытательное оборудование
- Кабели и провода
- Механическая обработка
- Оптоэлектроника
- Пассивные компоненты
- Промышленный контроль
- Соединители
- Электромеханический
- Энергетические продукты
- Весь каталог
-
- Управление батареей
- Приводы ворот
- Контроллеры горячей замены
- Регуляторы напряжения LDO
- Светодиодные драйверы
- Водители автомобилей
- Специализированное управление питанием
- Микросхемы выключателя питания - Распределение мощности
- Опорные значения напряжения
- Регуляторы напряжения - Линейные
- Переключающие регуляторы напряжения
- Регуляторы напряжения
Infineon IRFH5110TRPBF
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Данные о товаре
Партийный номер товара
IRFH5110TRPBF
mpn (Manufacturer Part Number)
Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Сводная информация
Доступность
1 217 шт.
Поставщики
4
Минимальная цена поставщиков
124,37 ₽
Курс на 25/06/2026
1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке
Важное
Технические характеристики
Ищете оптовые поставки?
Персональные условия
Цены и поставщики
Валюта
Доступность
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
|---|---|---|
| Arrow Electronics | 489 | 1 |
| Rochester Electronics | 716 | 1 |
| RS (Formerly Allied Electronics) | По запросу | 4000 |
| Farnell | По запросу | 1 |
|
1+
|
10+
|
25+
|
100+
|
500+
|
1000+
|
8000+
|
10000+
|
20000+
|
40000+
|
100000+
|
200000+
|
400000+
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 233,40 ₽ | 180,59 ₽ | 160,14 ₽ | 144,81 ₽ | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 124,37 ₽ | - | - | - | 111,59 ₽ | 103,07 ₽ | - | 92,00 ₽ | - | - | 77,52 ₽ | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| - | - | |
| - | - |
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
1+
|
10+
|
25+
|
100+
|
500+
|
1000+
|
8000+
|
10000+
|
20000+
|
40000+
|
100000+
|
200000+
|
400000+
|
Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | 489 | 1 | 2,74 ₽ | 2,12 ₽ | 1,88 ₽ | 1,70 ₽ | 0,00 ₽ | |||||||||||
| Rochester Electronics | 716 | 1 | 1,46 ₽ | 1,31 ₽ | 1,21 ₽ | 1,08 ₽ | 0,91 ₽ | 0,00 ₽ | ||||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | По запросу | 4000 | 3,76 ₽ | 3,68 ₽ | 3,57 ₽ | 3,42 ₽ | 3,19 ₽ | 2,93 ₽ | 2,63 ₽ | - | - | |||||||
| Farnell | По запросу | 1 | - | - | - |
Технические характеристики
Описание
Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
MOSFET, N-CH, 100V, 63A, PQFN-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 63A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0103ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:63A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.6W ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 12.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 6.4 / Rise Time ns = 9.6 / Turn-OFF Delay Time ns = 22 / Turn-ON Delay Time ns = 7.8 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PQFN / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 114
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
MOSFET, N-CH, 100V, 63A, PQFN-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 63A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0103ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:63A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.6W ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 12.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 6.4 / Rise Time ns = 9.6 / Turn-OFF Delay Time ns = 22 / Turn-ON Delay Time ns = 7.8 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PQFN / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 114
Изображения
-
Сроки поставки
Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon IRFH5110TRPBFArrow Electronics: -
Rochester Electronics: -
RS (Formerly Allied Electronics): -
Farnell: -
Заявка отправлена
Настроить