Режим работы: пн-пт 9:00-18:00

Infineon IRG4PC50UDPBF

При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Данные о товаре

Партийный номер товара
mpn (Manufacturer Part Number)
IRG4PC50UDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Сводная информация

Доступность 0 шт.
Поставщики 2
Минимальная цена поставщиков 2 869,79 ₽
Курс на 25/06/2026 1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке

Важное

Технические характеристики
Ищете оптовые поставки? Персональные условия

Цены и поставщики

Валюта
Доступность
Поставщик
Доступность (шт)
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
RS (Formerly Allied Electronics) По запросу 25
element14 APAC По запросу 1
1+
-
-
Количество Стоимость Купить
- -
- -
Поставщик
Доступность (шт)
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
1+
Количество Стоимость Купить
RS (Formerly Allied Electronics) По запросу 25 33,69 ₽ - -
element14 APAC По запросу 1 - - -

Технические характеристики

  • Case/Package TO-247-3
  • Current Rating 55 A
  • Length 15.87 mm
  • Max Operating Temperature 150 °C
  • Min Operating Temperature -55 °C
  • Mount Through Hole
  • Number of Pins 3
  • Number of Terminals 3
  • Packaging Bulk
  • REACH SVHC Yes
  • RoHS Compliant
  • Termination Through Hole
  • Weight 38.000013 g
  • Height 24.99 mm
  • Lead Free Contains Lead, Lead Free
  • Lifecycle Status Obsolete (Last Updated: 10 months ago)
  • Radiation Hardening No
  • Schedule B 8541290080|8541290080
  • Turn-On Delay Time 46 ns
  • Width 5.3086 mm
  • Voltage Rating (DC) 600 V
  • Max Power Dissipation 200 W
  • Number of Elements 1
  • Element Configuration Single
  • Package Quantity 400
  • Max Junction Temperature (Tj) 150 °C
  • Power Dissipation 200 W
  • Reverse Recovery Time 50 ns
  • China RoHS Compliant
  • Introduction Date 1997-04-17
  • Collector Emitter Breakdown Voltage 600 V
  • Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
  • Max Collector Current 55 A
  • Fall Time 110 ns
  • Rise Time 25 ns
  • Collector Emitter Saturation Voltage 2 V
  • Input Capacitance 4 nF
  • Continuous Collector Current 55 A
  • Turn-Off Delay Time 140 ns

Описание

Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
ULTRAFAST COPACK INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.65 V Current release time: 74 ns Power dissipation: 200 W
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:55A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:55A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:110ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:220A; Rise Time:25ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

Изображения

  • Сроки поставки

    Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon IRG4PC50UDPBF
    RS (Formerly Allied Electronics): -
    element14 APAC: -