Главная
Каталог
Дискретные полупроводники

Infineon IRGP4069DPBF

При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Сводная информация

Доступность 0 шт.

Поставщики 2

Минимальная цена поставщиков 2 957,53 ₽

Курс на 25/06/2026 1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB

С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке

Цены и поставщики

Валюта

Доступность

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
RS (Formerly Allied Electronics)	По запросу	1
Farnell	По запросу	1

1+	5+	10+	25+	50+
-	-	-	-	-
-	-	-	-	-

Количество	Стоимость	Купить
-	-
-	-

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика	1+	5+	10+	25+	50+	Количество	Стоимость	Купить
RS (Formerly Allied Electronics)	По запросу	1	34,72 ₽	32,57 ₽	31,78 ₽	30,66 ₽	29,86 ₽	-	-
Farnell	По запросу	1	-	-	-

Технические характеристики

600V Low VCEon Trench IGBT with Ultra-Fast Soft Recovery Diode in a TO-247 package
IGBT 600V 76A 268W TO247AC / Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
600 V, 35 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, TO247COPAK-3, RoHS
IRGP4069DPBF Series N-Channel 600 V 50 A Ultrafast Soft Recovery IGBT - TO-247AC
IGBT,N CH,DIODE,600V,76A,TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:76A; Collector Emitter Voltage Vces:1.6V; Power Dissipation Pd:368W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:268W