-
Категории
- Антенны
- Датчики
- Дискретные полупроводники
- Защита от замыкания
- Инструменты и расходные материалы
- Интегральные схемы (ИС)
- Испытательное оборудование
- Кабели и провода
- Механическая обработка
- Оптоэлектроника
- Пассивные компоненты
- Промышленный контроль
- Соединители
- Электромеханический
- Энергетические продукты
- Весь каталог
-
- Управление батареей
- Приводы ворот
- Контроллеры горячей замены
- Регуляторы напряжения LDO
- Светодиодные драйверы
- Водители автомобилей
- Специализированное управление питанием
- Микросхемы выключателя питания - Распределение мощности
- Опорные значения напряжения
- Регуляторы напряжения - Линейные
- Переключающие регуляторы напряжения
- Регуляторы напряжения
- Главная
- Каталог
- Дискретные полупроводники
- Транзисторы
Infineon IPB054N08N3GATMA1
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Данные о товаре
Партийный номер товара
IPB054N08N3GATMA1
mpn (Manufacturer Part Number)
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Сводная информация
Доступность
12 621 шт.
Поставщики
5
Минимальная цена поставщиков
158,44 ₽
Курс на 25/06/2026
1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке
Важное
Технические характеристики
Ищете оптовые поставки?
Персональные условия
Цены и поставщики
Валюта
Доступность
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
|---|---|---|
| Arrow Electronics | 939 | 1 |
| Rochester Electronics | 9319 | 1 |
| DigiKey | 985 | 1 |
| Farnell | По запросу | 1 |
| Mouser | 1378 | 1 |
|
1+
|
10+
|
50+
|
100+
|
500+
|
1000+
|
10000+
|
100000+
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 345,84 ₽ | 237,66 ₽ | - | 166,11 ₽ | 134,59 ₽ | - | - | - |
| 158,44 ₽ | - | - | - | 142,25 ₽ | 131,18 ₽ | 117,55 ₽ | 97,96 ₽ |
| 426,76 ₽ | 275,14 ₽ | - | 189,10 ₽ | 152,48 ₽ | - | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - |
| 385,88 ₽ | 251,29 ₽ | 251,29 ₽ | 172,07 ₽ | - | 133,74 ₽ | 133,74 ₽ | - |
| Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| - | - | |
| 0,00 ₽ |
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
1+
|
10+
|
50+
|
100+
|
500+
|
1000+
|
10000+
|
100000+
|
Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | 939 | 1 | 4,06 ₽ | 2,79 ₽ | 1,95 ₽ | 1,58 ₽ | 0,00 ₽ | ||||||
| Rochester Electronics | 9319 | 1 | 1,86 ₽ | 1,67 ₽ | 1,54 ₽ | 1,38 ₽ | 1,15 ₽ | 0,00 ₽ | |||||
| DigiKey | 985 | 1 | 5,01 ₽ | 3,23 ₽ | 2,22 ₽ | 1,79 ₽ | 0,00 ₽ | ||||||
| Farnell | По запросу | 1 | - | - | - | ||||||||
| Mouser | 1378 | 1 | 4,53 ₽ | 2,95 ₽ | 2,95 ₽ | 2,02 ₽ | 1,57 ₽ | 1,57 ₽ | 0,00 ₽ |
Технические характеристики
Описание
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Изображения
-
Сроки поставки
Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon IPB054N08N3GATMA1Arrow Electronics: -
Rochester Electronics: -
DigiKey: -
Farnell: -
Mouser: -
Заявка отправлена
Настроить