-
Категории
- Антенны
- Датчики
- Дискретные полупроводники
- Защита от замыкания
- Инструменты и расходные материалы
- Интегральные схемы (ИС)
- Испытательное оборудование
- Кабели и провода
- Механическая обработка
- Оптоэлектроника
- Пассивные компоненты
- Промышленный контроль
- Соединители
- Электромеханический
- Энергетические продукты
- Весь каталог
-
- Управление батареей
- Приводы ворот
- Контроллеры горячей замены
- Регуляторы напряжения LDO
- Светодиодные драйверы
- Водители автомобилей
- Специализированное управление питанием
- Микросхемы выключателя питания - Распределение мощности
- Опорные значения напряжения
- Регуляторы напряжения - Линейные
- Переключающие регуляторы напряжения
- Регуляторы напряжения
- Главная
- Каталог
- Дискретные полупроводники
- Транзисторы
Vishay SIE812DF-T1-GE3
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Данные о товаре
Партийный номер товара
SIE812DF-T1-GE3
mpn (Manufacturer Part Number)
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 10-Pin PolarPAK T/R
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Сводная информация
Доступность
0 шт.
Поставщики
1
Минимальная цена поставщиков
310,92 ₽
Курс на 25/06/2026
1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке
Важное
Технические характеристики
Ищете оптовые поставки?
Персональные условия
Цены и поставщики
Валюта
Доступность
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
|---|---|---|
| TME | По запросу | 3000 |
|
1+
|
|---|
| - |
| Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|
| - | - |
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
1+
|
Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | По запросу | 3000 | 3,65 ₽ | - | - |
Технические характеристики
Описание
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 10-Pin PolarPAK T/R
N CHANNEL MOSFET, 40V, 60A POLARPAK
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:60A; On Resistance, Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.3V ;RoHS Compliant: Yes
N CHANNEL MOSFET, 40V, 60A POLARPAK
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:60A; On Resistance, Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.3V ;RoHS Compliant: Yes
-
Сроки поставки
Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Vishay SIE812DF-T1-GE3TME: -