Renesas CM150DY-24A

При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Сводная информация

Доступность 4 шт.

Поставщики 2

Минимальная цена поставщиков По запросу

Курс на 25/06/2026 1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB

С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке

Цены и поставщики

Валюта

Доступность

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
Galco	По запросу	1
Farnell	По запросу	1

1+
-
-

Количество	Стоимость	Купить
-	-
-	-

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика	1+	Количество	Стоимость	Купить
Galco	По запросу	1	-	-	-
Farnell	По запросу	1	-	-	-

Технические характеристики

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 960000mW 7-Pin
IGBT MODULE, 1.2KV, 150A; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:960W; Junction Temperature, Tj Max:150°C; IGBT Termination:Tab; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV
Igbt Module, 1.2Kv, 150A; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:150A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:960W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv; Núm. De Contactos:7 |Mitsubishi Electric CM150DY-24A

Изображения

Сроки поставки

Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Renesas CM150DY-24A

Galco: -
Farnell: -

Категории

Renesas CM150DY-24A

Данные о товаре

Сводная информация

Важное

Цены и поставщики

Технические характеристики

Описание

Изображения

Сроки поставки