-
Категории
- Антенны
- Датчики
- Дискретные полупроводники
- Защита от замыкания
- Инструменты и расходные материалы
- Интегральные схемы (ИС)
- Испытательное оборудование
- Кабели и провода
- Механическая обработка
- Оптоэлектроника
- Пассивные компоненты
- Промышленный контроль
- Соединители
- Электромеханический
- Энергетические продукты
- Весь каталог
-
- Управление батареей
- Приводы ворот
- Контроллеры горячей замены
- Регуляторы напряжения LDO
- Светодиодные драйверы
- Водители автомобилей
- Специализированное управление питанием
- Микросхемы выключателя питания - Распределение мощности
- Опорные значения напряжения
- Регуляторы напряжения - Линейные
- Переключающие регуляторы напряжения
- Регуляторы напряжения
- Главная
- Каталог
- Дискретные полупроводники
- Транзисторы
- МОП-транзисторы
Infineon IPB065N10N3GATMA1
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Данные о товаре
Партийный номер товара
IPB065N10N3GATMA1
mpn (Manufacturer Part Number)
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK / N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Сводная информация
Доступность
21 056 шт.
Поставщики
1
Минимальная цена поставщиков
190,81 ₽
Курс на 25/06/2026
1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке
Важное
Технические характеристики
Ищете оптовые поставки?
Персональные условия
Цены и поставщики
Валюта
Доступность
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
|---|---|---|
| Rochester Electronics | 21056 | 1 |
|
1+
|
100+
|
500+
|
1000+
|
10000+
|
|---|---|---|---|---|
| 190,81 ₽ | 182,29 ₽ | 172,07 ₽ | 162,70 ₽ | 152,48 ₽ |
| Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|
| 0,00 ₽ |
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
1+
|
100+
|
500+
|
1000+
|
10000+
|
Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | 21056 | 1 | 2,24 ₽ | 2,14 ₽ | 2,02 ₽ | 1,91 ₽ | 1,79 ₽ | 0,00 ₽ |
Технические характеристики
Описание
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK / N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Infineon NMOSFET + OptiMOS 3, Vds=100 V, 80 A, D2PAK £¨TO-263£©, , 3
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Infineon NMOSFET + OptiMOS 3, Vds=100 V, 80 A, D2PAK £¨TO-263£©, , 3
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Изображения
-
Сроки поставки
Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon IPB065N10N3GATMA1Rochester Electronics: -
Заявка отправлена
Настроить