-
Категории
- Антенны
- Датчики
- Дискретные полупроводники
- Защита от замыкания
- Инструменты и расходные материалы
- Интегральные схемы (ИС)
- Испытательное оборудование
- Кабели и провода
- Механическая обработка
- Оптоэлектроника
- Пассивные компоненты
- Промышленный контроль
- Соединители
- Электромеханический
- Энергетические продукты
- Весь каталог
-
- Управление батареей
- Приводы ворот
- Контроллеры горячей замены
- Регуляторы напряжения LDO
- Светодиодные драйверы
- Водители автомобилей
- Специализированное управление питанием
- Микросхемы выключателя питания - Распределение мощности
- Опорные значения напряжения
- Регуляторы напряжения - Линейные
- Переключающие регуляторы напряжения
- Регуляторы напряжения
- Главная
- Каталог
- Дискретные полупроводники
- Транзисторы
- МОП-транзисторы
Vishay SI4894BDY-T1-GE3
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Данные о товаре
Партийный номер товара
SI4894BDY-T1-GE3
mpn (Manufacturer Part Number)
1.4W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 30V 11m¦¸@ 12A, 10V 8.9A 1.58nF@15V SOIC-8 1.55mm
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Сводная информация
Доступность
2 827 шт.
Поставщики
9
Минимальная цена поставщиков
42,59 ₽
Курс на 25/06/2026
1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке
Важное
Технические характеристики
Ищете оптовые поставки?
Персональные условия
Цены и поставщики
Валюта
Доступность
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
|---|---|---|
| Avnet | 5 | 1 |
| Newark | 5 | 1 |
| DigiKey | 1308 | 1 |
| TME | По запросу | 2500 |
| TTI Europe | По запросу | 2500 |
| TTI Asia | По запросу | 1 |
| Farnell | По запросу | 2500 |
| element14 APAC | По запросу | 1 |
| Mouser | 1502 | 1 |
|
1+
|
10+
|
25+
|
50+
|
100+
|
250+
|
500+
|
1000+
|
10000+
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 109,03 ₽ | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 89,44 ₽ | 89,44 ₽ | 89,44 ₽ | 89,44 ₽ | 89,44 ₽ | 89,44 ₽ | 89,44 ₽ | - | - |
| 292,18 ₽ | 185,70 ₽ | - | - | 125,22 ₽ | - | 98,81 ₽ | 90,29 ₽ | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 292,18 ₽ | 186,55 ₽ | - | 186,55 ₽ | 125,22 ₽ | - | - | 90,29 ₽ | 69,85 ₽ |
| Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| - | - | |
| - | - | |
| - | - | |
| - | - | |
| - | - | |
| 0,00 ₽ |
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
1+
|
10+
|
25+
|
50+
|
100+
|
250+
|
500+
|
1000+
|
10000+
|
Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 5 | 1 | 1,28 ₽ | 0,00 ₽ | ||||||||||
| Newark | 5 | 1 | 1,05 ₽ | 1,05 ₽ | 1,05 ₽ | 1,05 ₽ | 1,05 ₽ | 1,05 ₽ | 1,05 ₽ | 0,00 ₽ | ||||
| DigiKey | 1308 | 1 | 3,43 ₽ | 2,18 ₽ | 1,47 ₽ | 1,16 ₽ | 1,06 ₽ | 0,00 ₽ | ||||||
| TME | По запросу | 2500 | 0,75 ₽ | - | - | |||||||||
| TTI Europe | По запросу | 2500 | 0,50 ₽ | - | - | |||||||||
| TTI Asia | По запросу | 1 | 0,64 ₽ | - | - | |||||||||
| Farnell | По запросу | 2500 | - | - | - | |||||||||
| element14 APAC | По запросу | 1 | - | - | - | |||||||||
| Mouser | 1502 | 1 | 3,43 ₽ | 2,19 ₽ | 2,19 ₽ | 1,47 ₽ | 1,06 ₽ | 0,82 ₽ | 0,00 ₽ |
Технические характеристики
Описание
1.4W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 30V 11m¦¸@ 12A,10V 8.9A 1.58nF@15V SOIC-8 1.55mm
Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
30-V N-CHANNEL (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
30-V N-CHANNEL (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
Изображения
-
Сроки поставки
Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Vishay SI4894BDY-T1-GE3Avnet: -
Newark: -
DigiKey: -
TME: -
TTI Europe: -
TTI Asia: -
Farnell: -
element14 APAC: -
Mouser: -
Заявка отправлена
Настроить