-
Категории
- Антенны
- Датчики
- Дискретные полупроводники
- Защита от замыкания
- Инструменты и расходные материалы
- Интегральные схемы (ИС)
- Испытательное оборудование
- Кабели и провода
- Механическая обработка
- Оптоэлектроника
- Пассивные компоненты
- Промышленный контроль
- Соединители
- Электромеханический
- Энергетические продукты
- Весь каталог
-
- Управление батареей
- Приводы ворот
- Контроллеры горячей замены
- Регуляторы напряжения LDO
- Светодиодные драйверы
- Водители автомобилей
- Специализированное управление питанием
- Микросхемы выключателя питания - Распределение мощности
- Опорные значения напряжения
- Регуляторы напряжения - Линейные
- Переключающие регуляторы напряжения
- Регуляторы напряжения
- Главная
- Каталог
- Дискретные полупроводники
- Транзисторы
- МОП-транзисторы
Infineon SPP11N65C3XKSA1
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Данные о товаре
Партийный номер товара
SPP11N65C3XKSA1
mpn (Manufacturer Part Number)
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Сводная информация
Доступность
0 шт.
Поставщики
1
Минимальная цена поставщиков
По запросу
Курс на 25/06/2026
1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке
Важное
Технические характеристики
Ищете оптовые поставки?
Персональные условия
Цены и поставщики
Валюта
Доступность
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
|---|---|---|
| Farnell | По запросу | 1 |
| Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|
| - | - |
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
Количество | Стоимость | Купить | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | По запросу | 1 | - | - | - |
Технические характеристики
Описание
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 11A, To-220-3; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.34Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes
Replacement for 650V CoolMOS C3 is 650V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 650V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 11A, To-220-3; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.34Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes
Replacement for 650V CoolMOS C3 is 650V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 650V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter
Изображения
-
Сроки поставки
Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon SPP11N65C3XKSA1Farnell: -
Заявка отправлена
Настроить