-
Категории
- Антенны
- Датчики
- Дискретные полупроводники
- Защита от замыкания
- Инструменты и расходные материалы
- Интегральные схемы (ИС)
- Испытательное оборудование
- Кабели и провода
- Механическая обработка
- Оптоэлектроника
- Пассивные компоненты
- Промышленный контроль
- Соединители
- Электромеханический
- Энергетические продукты
- Весь каталог
-
- Управление батареей
- Приводы ворот
- Контроллеры горячей замены
- Регуляторы напряжения LDO
- Светодиодные драйверы
- Водители автомобилей
- Специализированное управление питанием
- Микросхемы выключателя питания - Распределение мощности
- Опорные значения напряжения
- Регуляторы напряжения - Линейные
- Переключающие регуляторы напряжения
- Регуляторы напряжения
Infineon 1EDN7116GXTMA1
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Данные о товаре
Партийный номер товара
1EDN7116GXTMA1
mpn (Manufacturer Part Number)
Gate Driver, Gan Hemt/Mosfet, Vson-10 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies 1EDN7116GXTMA1
При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос
Сводная информация
Доступность
35 605 шт.
Поставщики
6
Минимальная цена поставщиков
48,55 ₽
Курс на 25/06/2026
1 EUR = 85.18 RUB
1 USD = 74.77 RUB
1 USD = 74.77 RUB
С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке
Важное
Технические характеристики
Ищете оптовые поставки?
Персональные условия
Цены и поставщики
Валюта
Доступность
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
|---|---|---|
| Avnet | 8000 | 4000 |
| Newark | 3705 | 1 |
| Rochester Electronics | 5816 | 1 |
| DigiKey | 7374 | 1 |
| Farnell | По запросу | 1 |
| Mouser | 7005 | 1 |
|
1+
|
10+
|
25+
|
50+
|
100+
|
250+
|
500+
|
1000+
|
8000+
|
10000+
|
16000+
|
32000+
|
64000+
|
100000+
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 48,55 ₽ | - | - | - | - | - | - | - | 47,70 ₽ | - | 46,85 ₽ | 46,00 ₽ | 44,29 ₽ | - |
| 126,07 ₽ | 89,44 ₽ | 80,07 ₽ | 74,96 ₽ | 69,85 ₽ | 65,59 ₽ | 62,18 ₽ | 60,48 ₽ | - | - | - | - | - | - |
| 60,48 ₽ | - | - | - | - | - | 54,52 ₽ | 50,26 ₽ | - | 45,15 ₽ | - | - | - | 37,48 ₽ |
| 113,29 ₽ | 80,92 ₽ | 73,26 ₽ | - | 63,89 ₽ | 59,63 ₽ | 57,07 ₽ | 54,52 ₽ | - | - | - | - | - | - |
| - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 113,29 ₽ | 80,92 ₽ | - | 73,26 ₽ | 63,89 ₽ | - | - | 54,52 ₽ | - | 49,41 ₽ | - | - | - | - |
| Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| 0,00 ₽ | ||
| - | - | |
| 0,00 ₽ |
| Поставщик |
Доступность (шт)
|
MOQ
Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
|
1+
|
10+
|
25+
|
50+
|
100+
|
250+
|
500+
|
1000+
|
8000+
|
10000+
|
16000+
|
32000+
|
64000+
|
100000+
|
Количество | Стоимость | Купить |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 8000 | 4000 | 0,57 ₽ | 0,56 ₽ | 0,55 ₽ | 0,54 ₽ | 0,52 ₽ | 0,00 ₽ | |||||||||||
| Newark | 3705 | 1 | 1,48 ₽ | 1,05 ₽ | 0,94 ₽ | 0,88 ₽ | 0,82 ₽ | 0,77 ₽ | 0,73 ₽ | 0,71 ₽ | 0,00 ₽ | ||||||||
| Rochester Electronics | 5816 | 1 | 0,71 ₽ | 0,64 ₽ | 0,59 ₽ | 0,53 ₽ | 0,44 ₽ | 0,00 ₽ | |||||||||||
| DigiKey | 7374 | 1 | 1,33 ₽ | 0,95 ₽ | 0,86 ₽ | 0,75 ₽ | 0,70 ₽ | 0,67 ₽ | 0,64 ₽ | 0,00 ₽ | |||||||||
| Farnell | По запросу | 1 | - | - | - | ||||||||||||||
| Mouser | 7005 | 1 | 1,33 ₽ | 0,95 ₽ | 0,86 ₽ | 0,75 ₽ | 0,64 ₽ | 0,58 ₽ | 0,00 ₽ |
Технические характеристики
Описание
Gate Driver, Gan Hemt/Mosfet, Vson-10 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies 1EDN7116GXTMA1
Gate Drivers INT. POWERSTAGE/DRIVER
MOSFET 2A 4.2V~11V 2A VSON-10 Gate Drive ICs ROHS
IC GATE DRIVER HI/LO SIDE 10VSON
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
The EiceDRIVER™ 1EDN7116G is a single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky gate (SG) HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with fast-switching transistors, including Truly Differential Input (TDI), 2 A peak source and sink current, active Miller clamp, adjustable charge pump, and bootstrap voltage clamp. Thanks to the TDI feature, the gate driver output state is exclusively controlled by the voltage difference between the two inputs, independent of the driver’s reference (ground) potential as long as the common-mode voltage is below 150 V (static) and 200 V (dynamic). This eliminates the risk of false triggering due to ground bounce in low-side applications, while also allowing 1EDN7116G to address even high-side applications.
Gate Drivers INT. POWERSTAGE/DRIVER
MOSFET 2A 4.2V~11V 2A VSON-10 Gate Drive ICs ROHS
IC GATE DRIVER HI/LO SIDE 10VSON
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
The EiceDRIVER™ 1EDN7116G is a single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky gate (SG) HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with fast-switching transistors, including Truly Differential Input (TDI), 2 A peak source and sink current, active Miller clamp, adjustable charge pump, and bootstrap voltage clamp. Thanks to the TDI feature, the gate driver output state is exclusively controlled by the voltage difference between the two inputs, independent of the driver’s reference (ground) potential as long as the common-mode voltage is below 150 V (static) and 200 V (dynamic). This eliminates the risk of false triggering due to ground bounce in low-side applications, while also allowing 1EDN7116G to address even high-side applications.
-
Сроки поставки
Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon 1EDN7116GXTMA1Avnet: -
Newark: -
Rochester Electronics: -
DigiKey: -
Farnell: -
Mouser: -
Заявка отправлена
Настроить